حل معادله حرکت فیلم نانوسیال روی سطح شیب دار

حل معادله جریان نانو سیال در پایین آمدن از سطح شیب دار در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته است . در لایه های نازک (nm100>) نیروهای واندروالس عامل ایجاد پارگی در جریان می شوند در حالی که در لایه های با ضخامت زیاد (nm 100 <) وزن عامل اساسی در ناپایداری و در نهایت پارگی در جریان است . معادله مشخصه حرکت سیال روی سطح شیب دار با استفاده از معادله ناویر استوکس و با در نظر گرفتن نیروهای واندروالس قابل بررسی است . در این مقاله معادلات حا کم بر حرکت این لایه روی سطح شیب دار با استفاده از روش اغتشاش (Perturbation) حل گردیده است.

کلیدواژه ها:

نیروی واندروالس ، اغتشاش