بررسی تحلیلی چگونگی ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون تحت تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6
محل انتشار: دهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,016
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE10_004
تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388
چکیده مقاله:
تابش لیزر اگزایمر ArF بر سطح سیلیکون در مجاورت گاز SF6 در بازه ی فشاری معینی باعث ایجاد میکروساختار خودانگیخته منظمی بر سطح سیلیکون می گردد. تغییرات دز تابش لیزر و نیز فشار گاز SF6 سبب تغییر در خواص هندسی میکروساختار می گردد. در این مقاله مدلی برای توجیه چگونگی ایجاد این میکروساختار خودانگیخته و نیز توضیح ارتباط میان خواص هندسی و دو عامل دز لیزر تابشی و فشار گاز SF6 ارائه گردیده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمیدرضا دهقانپور
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر
پرویز پروین
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر