ساخت LVDT آزمایشی با رنج بلند با هسته ی دوطرفه و امکان سنجی تولید آن

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 785

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ITCC02_168

تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395

چکیده مقاله:

حسگرهای LVDT (ترانسفورماتور تفاضلی متغیر خطی) سالهاست که در ابعاد کوچک به عنوانیک حسگر مطلق موقعیت با دقت بسیار بالا و اخیرا تا 0.1 میکرون و با رنج محدود (معمولاحداکثر 10 میلیمتر) و خروجی کاملا خطی ساخته شده است ولی علارغم قیمت بسیار بالای آن وکاربرد زیاد، در داخل کشور تولید کننده ای برای آن وجود ندارد. در این تحقیق یک نمونهLVDT در ابعاد نسبتا بزرگ و با هدف امکان سنجی تولید آن در داخل کشور ساخته شده است.مواد مورد استفاده بر اساس مقالات و کتب حدالامکان مناسب انتخاب شده است. هسته انتخاب شدهاز جنس فولاد CK45 انتخاب شده و حرارتی بر روی آن انجام شده، سپس یک لایه آب کروم باضخامت حدود 3 میکرون بر روی آن ایجاد شده است. در نهایت خروجی LVDT در کل طولآن که 12 سانتیمتر است استخراج شده و بررسی شده است. بر اساس نتایج به دست آمده مهم ترینعوامل در خطی سازی LVDT نظم سیم پیچ ها و جنس هسته می باشد. بهترین ناحیه خطی درLVDT ساخته شده ناحیه ی میانی در سیم پیچ های هر طرف میباشد به طوری که در لبه ی دو سرورودی سیم پیچ ها و حد واصل سیم پیچ میانی و طرفین تا حدی اغتشاش وجود داشته و خروجیغیر خطی است. در نهایت خروجی نشان میدهد که LVDT در یک محدوده حدود 2.5 سانتیمتربسیار به خط نزدیک و در بازهی کل در برخی مکان ها دچار اغتشاشاتی می باشد. دلیل ایناغتشاش ها در درجه اول نظم سیم پیچی و در درجه دوم اختلالات هسته ارزیابی شده است.

کلیدواژه ها:

، LVDT ، حسگر موقعیت ، ترانسفورماتور تفاضلی متغیر خطی ، LVDT رنج بلند

نویسندگان

سعید سعیدی امین آبادی

دانشگاه حکیم سبزواری

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :