ارزیابی اثرات میدان مغناطیسی بر جوانه زنی بذر نخود Cicer arietinum L

بهمنظور بررسی اثر میدان مغناطیسی با شدت و زمانهای مختلف قرارگیری بر روی برخی از صفات جوانهزنی بذرنخود (.L arietinum Cicer (رقم ILC482 ،آزمایشی در سال 1392در آزمایشگاه تحقیقات عالی دانشکده کشاورزی دانشگاه فردوسی مشهد، در قالب طرح کاملا تصادفی با سهتکرار اجرا شد. تیمارهای این مطالعه عبارتبودند از: شدتمیدان مغناطیس در دو سطح (100 و 150میلیتسلا) و زمان قرارگیری در معرض میدان مغناطیس در 5سطح ( 1 ،2 ،3، 4 و 5ساعت) و تیمار شاهد نیز بدون اعمال میدان مغناطیسی در آزمایش درنظرگرفته شد. نتایج نشانداد که میدانمغناطیسی بهطور معنیداری بر جوانهزنی نخود تاثیرگذار بود. بذوریکه در معرض میدان 100میلیتسلا بهمدت دوساعت قرار گرفتند، بیشترین میزان طول ریشهچه را داشتند، بهطوریکه طول ریشهچه نسبت به تیمار شاهد (33/6سانتیمتر) 33درصد افزایش یافت. در تیمار میدان مغناطیسی با شدت 150میلیتسلا و بهمدت 5ساعت، میزان طول ریشهچه نسبتبه تیمار شاهد، 30درصد افزایش نشان داد. طول ساقهچه بذور نخود در تیمار اعمال دوساعت میدان مغناطیسی 100میلیتسلا نسبت به تیمار شاهد (67/1سانتیمتر) و در تیمار اعمال 5ساعت میدان مغناطیسی150میلیتسلا بهمیزان9/46درصد افزایش یافت. بیشترین میزان وزن خشک ریشهچه در تیمار 2ساعت زمان میدان مغناطیسی150میلیتسلا بود که نسبت به تیمار شاهد 9/51درصد افزایش نشان داد. در تیمار اعمال 5ساعت میدان مغناطیسی شدت150میلیتسلا 46درصد وزن خشک ساقهچه نخود نسبت به تیمار شاهد بیشتر بود و همچون سایر صفات مورد اندازهگیری، تیمار ذکرشده بیشینه وزن خشک ساقهچه نخود را بهخود اختصاص داد؛ اما وزن خشک بقایای بذر در اثر میدان مغناطیسی کاهش یافت. از آنجا که میدان مغناطیسی سبب بهبود رشد گیاهچه میشود، در نتیجه تخلیه موادغذایی سازنده بذر، سریعتر و بهتر صورت میگیرد و لذا منجر به سریعشدن دوره رشد در زمان جوانهزنی بذر نخود در شرایط آزمایشگاهی خواهد شد.

کلیدواژه ها:

شدت میدان مغناطیسی ، طول گیاهچه ، وزن تر گیاهچه ، وزن خشک گیاهچه