ارائه یک روش جدید در طراحی مرجع ولتاژ شکاف باند با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت درناحیه وارونگی قوی با نسبت رد منبع تغذیه بالا

در این مقاله یک مرجع ولتاژ شکاف باند با ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه وارونگی قوی پیشنهاد شده است. مدار پیشنهادی نسبت رد منبع تغذیه بالا و حساسیت دمایی پایینی دارد و می تواند با ولتاژ تغذیه کمتر از 1 ولت نیز کار کند. در این طراحی نسبت ردمنبع تغذیه بهوسیله حلقه فیدبک و ولتاژ تنظیم شده، بهبود یافته است. این مدار درتکنولوژی 0/18μm سی ماس طراحی و در نرمافزار HSPICE شبیه سازی شده است. ولتاژ خروجی این مدار 466/7 میلی ولت و ضریب دمایی ولتاژ خروجی در بازه دمایی 20 - الی 100 درجه سانتیگراد 29/1ppm/c است. نسبت رد منبع تغذیه در فرکانس های پایین 109 دسی بل است. توان مصرفی این مدار در دمای اتاق و به ازای ولتاژ تغذیه 1/2 ولت برابر با 42 میکرووات است.

کلیدواژه ها:

مرجع ولتاژشکاف باند ، نسبت رد منبع تغذیه بالا ، ضریب دمایی پایین ، ناحیه وارونگی قوی