ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو

گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی10gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد.ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8μm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظرزاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشهی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادناین تراشهها انجام می گیردکه در این حالت آینههای بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازههایارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفتاند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشه - های سیلیکونی به صورت یک بسته درآمدهاند مقایسه شده است

کلیدواژه ها:

جفت شدن/SOI ، op×c /جفتگر ، موجبر