اثر نانو سیلیسیوم و سیلیکات پتاسیم بر پرایمینگ بذر های گوجه فرنگی

امروزه پژوهشگران همواره به دنبال کشف راه های جدید برای جایگزینی روش های قدیمی در علوم می باشند. استفاده از نانو ذرات و نمک های آن ها از جمله تکنولوژی هایی است که در چند دهه اخیر بسیار مورد توجه بوده است. در این پژوهش تلاش شد تا مواد جدیدی را برای پرایمینگ بذر معرفی کند. از این رو از نانو سیلیس و سیلیکات پتاسیم برای بررسی جوانه زنی و رشد گوجه فرنگی استفاده شدند. این آزمایش در قالب طرح کاملا تصادفی با 4 تکرار در آزمایشگاه بخش علوم باغبانی دانشکده کشاورزی دانشگاه شیراز انجام شد. غلظت های صفر، 1 میلی مولار و 2 میلی مولار از نانو سیلیسیوم و سیلیکات پتاسیم استفاده شد. نتایج نشان داد که این مواد قادرند منجر به بهبود جوانه زنی و رشد گوجه فرنگی شوند. درصد جوانه زنی و سرعت جوانه زنی بذر های گوجه فرنگی در حضور سیلیکات پتاسیم ا میلی مولار بیشترین مقدار بود و نانو سیلیس باعث افزایش طول ریشه و شاخساره گیاهچه های گوجه فرنگی در غلظت 2 میلی مولار شد.

کلیدواژه ها:

سرعت جوانه زنی ، درصد جوانه زنی ، نانو ذرات