تاثیرمیدان مغناطیسی حاصل ازبرهمکنش تپ لیزری پرشد با پلاسمای کم چگال برشتاب بسته الکترونی

دراین مقاله تاثیر میدان مغناطیسی حاصل از برهمکنش لیزر با پلاسمای رقیق در رژیم حبابی روی شتاب بسته الکترونی مورد بررسی قرار گرفته است. دیده شد تاثیر میدان مغناطیسی داخلی روی انرژی نهایی بسته الکترونی مثبت بوده بطوریکه مقدار آن از به 1.2 GeV حدود رسیده است، همچنین واگرایی بسته الکترونی نیز تا یک مرتبه بزرگی کاهش یافته و برابر با شده است. علاوه بر این، مشاهده کردیم میدان مغناطیسی داخلی باعث افزایش تعداد الکترونهای شتاب گرفته از 10% به حدود می شود

کلیدواژه ها:

برهمکنش لیزرپلاسما ، شتاب بسته الکترونی ، رژیم حبابی ، میدان مغناطیسی