راهکارهایی برای افزایش دمای کارکرد فتودیودهای MCT
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 419
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MGCONF02_090
تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397
چکیده مقاله:
حامل های ذاتی نیمه هادی (n و p) ، نقش اساسی را در فتودیودهای MCT در طول موج LWIR بخصوص در دمای اتاق، بازی میکنند که به خاطر تولید گرمایی بالای حامل ها در این دماست.در این دما، بازترکیب اوژه باعث کم شدن طول عمر حامل های اقلیت و افزایش تولید حامل های آزاد می شود که منجر به جریان تاریکی زیاد و در نتیجه نویز بالا می گردد.سرماسازی یکی از راه های فایق آمدن بر این نویز و اثر اوژه است.اما باید توجه داشت که تجهیزات سرماساز برای ای فتودیدها، گرانقیمت و حجیم هستند.در این مقاله سعی شده که کارکرد این فتودیودها در دمای بالا انجام شود.طراحی این فتودیود مبتنی بر خنثی سازی اثر اوژه در MCT از طریق کاهش چگالی حامل ها می باشد.نشان داده شده است که خنثی سازی اثر اوژه تاثیری دوگانه هم بر روی کاهش جریان تاریکی و هم بر افزایش جریان نوری دارد. در طرح این فتو دیود از یک لایه MCT با آلایش کم به عنوان جاذب نور(Absorber) استفاده شده است و آن را v (برای n-type) یا л (برای p-type) می نامیم که بین دو MCT دیگر با دوپینگ زیاد و با باندگپ بزرگتر ⁺P و ⁺N ساندویچ شده است. یعنی ⁺N⁺ / л/ P یا ⁺P⁺ / v/ N اثر خنثی سازی اثر اوژه ، یک مقاومت تفاضلی منفی در منحنی I-V فتودیود مشاهده می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسین شمشیری
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه جامع امام حسین(ع(
محمد علوی
استادیار دانشگاه جامع امام حسین(ع)