بررسی و شبیه سازی تغییر پارامترهای پیوند تونلی درین و سورس بر منحنی مشخصه ترانزیستور تک الکترونی تک جزیره ای با کمک معادلات اساسی

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 689

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NAEC02_029

تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله ابتدا ساختار پایه ترانزیستورهای تک الکترونی تک جزیره ای معرفی می شود و مکانیزم عملکرد آنها و مشکلات مرتبط با تکنولوژی ساخت و لوم بکارگیری آنها را بیان می کنیم با استفاده معادلات اساسی حاکم بر انها و نرم افزار متلب با تغییر در مشخصه ظرفیت خازنی و مقاومت معادل پیوند تونلی درین- جزیره و سورس-جزیره در دو ساختار متقارن و غیر متقارن افزاره، منحنی های مشخصه افزاره را رسم و در مورد انها بحث خواهیم کرد. بررسی افزاره به این روش کمک شایانی به درک بهتر عملکرد و مشخصه های مطلوب آنها برای پژوهشگران و دانشجویان گرایش ادوات نیمه هادی خواهد داشت و به عنوان پیش زمینه ای برای ورد به دنیای تک الکترونیک ها محسوب خواهد شد.

نویسندگان

سید کیوان بابایی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

سید صالح قریشی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

رضا یوسفی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [] Jan Awrejcewicz, Numerical Simulations of Physical and Publisher: _ ...
  • سیدکیوان بابایی، مطالعه عددی ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی بر معادلات ...
  • Sanjita Mandal, Single Electron Transistor, International Journal of Innovations in ...
  • Konstantin K Likharev, Single-Electron Devices and Their Applications, Member, IEEE ...
  • نمایش کامل مراجع