وریستور اکسید قلع از کاربرد ولتاژ پایین با ریزساختار میکرونی تا نانوساختار ولتاژ بالا

برای اولین بار، با استفاده از مواد نانومتری اولیه، دمای زینترینگ وریستور بر پایه اکسید قلع حاوی اکسید مس از دمای C° 1350 تا دمای C° 1150 کاهش داده شد و خواص غیرخطی مشاهده شد. اندازه دانه وریستور بر پایه اکسید قلع ساخته شده از مواد اولیه نانومتری که در دمای 1350 C° زینتر شده است در حدود 13 میکرون است و دارای ولتاژ شکستkv/cm 0/9 و ضریب غیرخطی 27 است که مناسب برای کاربرد ولتاژ شکست پایین نظیر مصارف خانگی است. در حالیکه وریستور بر پایه اکسید قلع که در دمای C ° 1150 زینتر شده است دارای اندازه دانه در حدود 700 nm است. ولتاژ شکست و ضریب غیرخطی این وریستور نانوساختار به ترتیب kv/cm 10 و 12 است که مناسب برای کاربرد ولتاژ شکست بالا نظیر مصارف توزیع و انتقال برق می باشد. در دمای زینتر 950 °C رفتار جدید انتقال از خاصیت کاهش جریان الکتریکی با افزایش ولتاژ به خاصیت غیر اهمی مشاهده شد که ناشی از تشکیل سد شاتکی با افزایش ولتاژ بوده است هر چند این وریستور ضریب غیرخطی بسیار پایینی از خود نشان داد.

کلیدواژه ها:

وریستور ، اکسید قلع ، نانوساختار ، ولتاژ بالا ، ولتاژ پایین