پاسخ نانو ریبون گرافن آرمچر به میدان فوتونی با استفاده از تقریب بستگی قوی
محل انتشار: کنفرانس علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,433
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOG01_026
تاریخ نمایه سازی: 12 دی 1393
چکیده مقاله:
روش غیر تعادلی تابع گرین برای محاسبات خواص برانگیختگی فوتونی در ساختار قطعاتی که اثرات کوانتومی در آن حکمفرماست خیلی کارآمد می باشد. در این کار با استفاده از شبیه سازی، با رسم نمودار تغییرات طیف انتقالی و چگالی حالتهای الکترونی برهمکنش فوتونبا نانو ریبون گرافن در چینش آرمچر، با تغییر تعداد فوتون تابشی و تغییر تعداد حلقه با فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی بررسی شد. نتایج نشان می دهد خواص ترابردی بار در نانو ریبون گرافن آرمچر به تعداد فوتون تابشی و تعداد حلقه ها وابسته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید حسن خالقی تروجنی
کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات واحد مازندران
مسعود بزی جوان
استادیار، فیزیک، دانشگاه گلستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :