دیود گسیلنده نور بر پایه ZnO با بازدهی کوانتومی داخلی بهبود یافته

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 822

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOG01_031

تاریخ نمایه سازی: 12 دی 1393

چکیده مقاله:

اکسید روی (ZnO) یک نیمه هادی است که به دلیل خواص عالی فیزیکی و شیمیایی مانند گاف انرژی بزرگ (3/37eV) و انرژی بستگی اکسیتون بزرگ (60meV) در ساخت دیودهای گسیلنده نور (LED) توجه زیادی را به خود جلب کرده است. بهینه سازی بازدهی کوانتومی داخلی (IQE) دیودهای گسلنده نور ساخته شده بر پایه ZnO به منظور دستیابی به بیشینه توان نور خروجی از آن ها اهمیت ویژهای دارد. در این مقاله یک مدل تئوری ساده برای بررسی تأثیر پارامترهای هندسی و الکتریکی نانوساختار ZnO بر بازدهی کوانتومی داخلی LED های ساخته شده بر پایه ZnO ارائه شده است. IQE دو نوع LED ساخته شده برپایه دو نوع مختلف نانوساختار ZnO (آرایه ای از نانومیله های ZnO و آرایه ای از نانومخروط های ZnO) به صورت توابعی از شکل و ابعاد هندسی ساختار و ویژگیه ای دوپینگ آنها محاسبه شده است. نشان داده شده است که IQE و توان نور خروجی متناظر با آن در LED های ساخته شده با آرایه ای از نانومخروط های ZnO به علت کمتر بودن بازتاب کلی داخلی نور، بسیار بزرگتر از LED های ساخته شده با آرایه ای از نانومیله های ZnO است. تحلیل ارائه شده می تواند برای انتخاب بهینه هندسه و مشخصه دوپینگ نانوساختار ZnO که منجر به IQE بهینه شود به کار رود.

نویسندگان

سید ابراهیم حسینی رمقانی

گروه علوم و فناوری نانو، مجتمع دانشگاهی علوم کاربردی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان

مهدی داوودی

گروه علوم و فناوری نانو، مجتمع دانشگاهی علوم کاربردی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • N. Holonyak, _ the light emitting diode (LED) _ ultimate ...
  • E. F. Schubert and J. K. Kim, :Solid-state light _ ...
  • E. Fred, Schubert, Light-Emitting Diodes (Cambridge University Press, 2011). ...
  • M.-K. Kwon, J.-Y. Kim, I.-K. Park, K. S. Kim, G.-Y. ...
  • external %30ء [5] I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T. ...
  • J. J. Wierer, A. David, and M. M. Megens, :III-nitride ...
  • R. H. Horng, C. C. Yang, J. Y. Wu, S. ...
  • S. J. Chang, C. F. Shen, W. S. Chen, C. ...
  • C. H. Kuo, C. M. Chen, C. W. Kuo, C. ...
  • Y. Gao, T. Fujii, R. Sharma, K. Fujito, S. P. ...
  • J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. ...
  • J. K. Sheu, I. H. Hung, W. C. Lai, S. ...
  • J. K. Kim, T. Gessmann, E. F. Schubert, J. Q. ...
  • . S. J. An, J. H. Chae, G. C. Yi, ...
  • Y .-C. Chao, C.-Y. Chen, C.-A. Lin, Y.-A. Dai, and ...
  • S. J. An, J. H. Chae, G.-C. Yi, and G. ...
  • J. Zhong, H. Chen, G. Saraf, Y. Lu, C. K. ...
  • K.-K. Kim, S.- Lee, H. Kim, J.-C. Park, S.-N. Lee, ...
  • M.-K. Lee, C.-L. Ho, and P.-C. Chen, "Light extraction efficiency ...
  • نمایش کامل مراجع