بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) و مقایسه پارامترهای کلیدی آن با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET

در سال های اخیر یک تکنولوژی کاربردی جدید به نام نانوالکترونیک ظهور یافته است. با توجه به نظریه ی گوردن مور مبنی براینکه هر 81 ماه ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه ی آن نیز نصف می شود پس باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه آن به کمتر از یک نانومتر برسد.پس از انجام آزمایش های بسیار دانشمندان به این نتیجه رسیدند که نانولوله ای کربنی که اساس ساختار آنها از کربن است می تواند جای ساختار قدیمی سیلیکونی را بگیرد . با توجه به این که تغییراتی همچون : قدرت سوئیچ پذیری بالاتر ، منحنی های ولتاژ به جریان ایده آل تر ، توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر را در ترانزیستور های نسل جدید به همراه خواهد داشت و همچنین در مدارات مجتمع به کار برده شده می تواند باعث جریان کشی کمتر که خود منجر به توان مصرفی پایین تر و در نتیجه بهبود کارایی نسبت به ماسفت های سیلیسیمی می شود. در این مقاله ابتدا ساختار ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی از لحاظ ساختار هندسی، روش های ساخت و پیاده سازی و همچنین نحوه عملکرد و تئوری ایجاد جریان مورد بحث قرار می گیرد ،سپس مقایسه ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با دیگر ترانزیستورهای اثر میدان از دیگر مباحث مطرح شده در این مقاله می باشد.

کلیدواژه ها:

نانو لوله های کربنی ، ترانزیستور CNFET ، bulk MOSFET ، UTSOI MOSFET