لایه نشانی، سنتز و بررسی لایه های نازک اکسیدروی تهیه شده با تکنیک سل ژل

امروزه نانو ساختارهای اکسید روی خصوصا فیلم های نازک به دلیل عملکرد متمازیشان در وسایل نوری و الکترونیکی توجه زیادی را به خود جلب نموده اند . در این پژوهش با استفاده از روش سل ژل و با تکنیک غوطه وری لایه های نازک اکسید روی بر روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شدند. این لایه ها از استات روی دوآبه، مونواتانول آمین (MEA) ، ایزوپروپانول و آب مقطر دوبار تقطیر بدست امدند. همه نمونه ها در دمای 525 درجه سلسیوس تحت عملیات بازپخت قرار گرفتند. پارامترهای ساختاری فیلم ها به کمک پراش پرتوایکس (XRD) و شبیه سازی داده های بازتاب خراشان پرتو ایکس (GIXR) به وسیله نرم افزار GenX به دست امد. به وسیله داده های XRD و GIXR میانگین اندازه دانه، اندازه ثابت شبکه c، تغییرات کرنش در طول محور c، ضخامت و ناهمواری سطح لایه ها بدست امد و نتایج تحلیل شد. مشخص شد با افزایش ضخامت فرم بلور بهبود پیدا کرده و اندازه دانه رشد کرده است. در نهایت میزان چسبندگی لایه ها به زیرلایه و مقدار فعالیت فوتوکاتالیتیکی نمونه ها بدست آمد میزان چسبندگی با افزایش تعداد لایه ها به علت تراکم بهتر ذرات بیشتر شده ولی چون مورفولوژی سطح و چگالی لایه ها تغییر محسوسی نکرده میزان فعالیت فوتوکاتالیتیکی لایه ها بهبود پیدا نکرده است.

کلیدواژه ها:

فیلم های اکسید روی ، پراش پرتو ایکس ، بازتاب خراشان پرتو ایکس ، شبیه سازی