[ گزارش اشكال در مقاله | بازگشت | جستجو | ليست كنفرانس‌ها ]

كاهش جريان نشتي در نانوترانزيستورهاي با دو گيت سيليكون فوق نازك  Fulltext 

[ رقيه اميري ] - بابلسر، دانشگاه مازندران، دانشكده علوم پايه، گروه فيزيك
[ علي بهاري ] - بابلسر، دانشگاه مازندران، دانشكده علوم پايه، گروه فيزيك

خلاصه مقاله:

قسمتهاي مهم در ساختار نانوترانزيستور ها كانال عبوري حامل ها و گي ت دي الكتريك مي باشند . با بهبود شرايط و نوع كانال و گيت بكار رفته در ترانزيستورها ميتوان جريان عبوري را تا حد دلخواهي افزايش داد . در اين پروژه از نانولولهي كربني با توجه به ويژگي - هاي خاصش به عنوان كانال نام مي بريم و چگونگي عبور حامل ها را از اين كانال با استفاده از روش تحليلي لاندائو - بوتيكر مورد مطالعـه قرار داديم . نتايج نشان مي دهند كه به دليل افزايش مقاومت در برابر حركت حامل ها كه باعث كاهش جريان مطلوب از كانال ايجاد شده در زير گيت ميشود، ميتوان از سيستمهاي دو گيتي به جاي سيستم يك گيتي در ترانزيستورها استفاده نمود

ترانزيستورهاي اثر ميداني، روش تحليلي لاندائو - بوتيكر، گيت اكسيد سيليكون، سيم كوانتومي، نانوترانزيستورها