فاصله مقاومت و اندیس کیرشهف نانوساختارها

با فرض برقراری جریان الکتریکی در گراف مولکولی یک نانو مخروط کربنی، هر پیوند (یال) به عنوان سیمی بامقاومت الکتریکی واحد در نظر گرفته شده بر این اساس مقاومت الکتیکی موثر بی هر دو اتم (راس) کربن از گراف مولکولی، بر اساس روابط موجود در نظریه گراف به دست می آید. اندیس کیرشهف که به صورت [فرمول در متن اصلی ] بر حسب فاصله مقاومت r ij تعریف می شود. به وسیله روابط موجود در نظریه شبکه های الکتریکی محاسبه می شود. هدف اصلی این سمینار محاسبه این اندیس برای نانو مخروط CNC[n] و فولرن ها است.

کلیدواژه ها:

فاصله مقاومت ، اندیس کیرشهف ، ماتریس لاپلاسی