ساخت نانو سيم هاي ژرمانيم به روش نشست بخار شيميايي (CVD)  Fulltext 

[ بهرام گنجي پور ] - پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، ايران
[ مصطفي زاهدي فر ] - پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، ايران
[ فاطمه حسين مردي ] - پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، ايران

خلاصه مقاله:

در اين تحقيق نانو سيمهاي ژرمانيم در بازه دمايي بين 250 تا 350 درجه سلسيوس با روش نشست بخار شيميايي رشد داده ميشود. نانو ذرات طلا به عنوان كاتاليست با استفاده از ماده 3- آمينوپروپيل تري اتيل سيلان (APTES) روي سطح ويفر نشانده مي شوند. تتراكلريد ژرمانيم (GeCl4) به عنوان منبع تامين ژرمانيم و گاز آرگون با فلوي sccm 180 به عنوان گاز حامل مورد استفاده قرار گرفته است. همچنين نقش ساير كاتاليست وزمان رشد به عنوان عوامل موثر دررشد نانو سيم ها و اثر دما براي بدست آوردن دماي بهينه جهت رشد سيمهاي ژرمانيم مورد بررسي قرار گرفته است. در نهايت تصاوير ميكروسكوپ الكتروني (SEM) گرفته شده از نمونه هايي كه در شرايط متفاوت رشد داده شده اند نشان دهنده تاثير سايز كاتاليست و زمان بر رشد طولي و قطر نانو سيم هاست. طيف پراش پرتو ايكس (XRD) نشان دهنده رشد كريستالهاي نانو سيمهاي ژرمانيم مي باشد.