مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS
محل انتشار: پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,139
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_153
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می باشند.
نویسندگان
فاطمه کهنی خشکبیجاری
کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج
مرتضی فتحی پور
استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :