مدلسازی لیزر نیمه هادی مخابراتی نقطه کوانتومی
محل انتشار: پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,531
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_155
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
چکیده مقاله:
در این تحقیق، لیزر نیمه هادی نقطه کوانتومیInAs/GaAs با در نظر گرفتن حالتهای پایه، برانگیخته، پیوستار و وتینگ و لحاظ کردن اثرات ساختاری ناشی از فرآیند ساخت نظیر پهن شدگی غیر همگن بهره، و محیطی نظیر درجه حرارت و پهن شدگی همگن، آنالیز شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان میدهد که با انتخاب مناسب پارامترهای لیزر نقطه کوانتومی نظیر جریان تزریقی، درجه حرارت، پهن شدگی همگن و زمانهای و اهلش، می توان به هر یک از حالت های لیزش پایه، برانگیخته و پایه- براگیخته بطور همزمان رسید. نتایج بدست آمده از مدل در توصیف وابستگی عملکرد لیزر به درجه حرارت و جریان تزریقی، تطابق خوبی با نتایج عملی دارد. در مدل مطرح شده از معادلات نرخ استاندارد استفاده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدحسن یاوری
تهران، دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده مهندسی برق
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :