مدل سازی و تحلیل اثر پارامترهای غیرخطی در لیزر توان بالای آرایه ای هدایت بهره GaAs/AlGaAs با ساختار تک چاه کوانتومی

در این مقاله مشخصه های نوری(میدان دور و نزدیک)، حرارتی(توزیع دما) و الکتریکی (چگالی حامل) لیزر نیمه هادی تک چاه کوانتومی آرایه ای GaAs/AlGaAsبصورت دو بعدی مورد شبیه سازی قرار گرفته است.معادلات تزویج نوری رفت و برگشت به همراه معادله نرخ حامل و معادله انتشار حرارت بصورت خودسازگار با در نظر گرفتن پارامترهای غیر خطی به کمک روش انتشار پرتو و گسسته سازی تفاضل محدود حل شده است. در این آنالیز اثر ضریب اصلاح خط و ضریب کر با در نظر گرفتن اثرات حرارتی ناحیه فعال در تابع توزیع میدان نزدیک و میدان دور لیزر کوانتومی بررسی شده است. دو حالت ضریب کر منفی و مثبت سازی شده که ضریب کر منفی باعث خودواگرایی و ضریب شکست لیزر معکوس همدیگر می باشند که با توجه به این امر می توان با انتخاب درست کسر مولکولی آلومینیوم و گالیم در ناحیه پوششی لیزر به توزیع پایدار و بهینه خروجی میدان لیزر آرایه ای رسید.

کلیدواژه ها:

لیزر آرایه ای تک چاه کوانتومی ، لیزر توان بالا ، معادلات تزویج شده ، ضریب اصلاح عرض خط ، ضریب کر