بررسی رفتار الکتریکی کامپوزیت نانومتری اکسید روی

در این پژوهش، مشخصه های E-J در دمای اتاق را برای نمونه های نانومتری ZnO-Bi2O3 با درصدهای مولی متفاوت اکسید بیسموت (0/25-1-1/5 mol%) که در دماهای مختلف (750-850-950درجه سانتیگراد) تف جوشی شده اند مورد بررسی قرار گرفت. دیده شد که ضریب ناخطی و مقاومت ویژه dc به ترکیب مواد در ساخت نمونه و دمای تف جوشی آن بستگی دارد. مقادیر این پارامترها برای به دست آوردن بیشینه ضریب ناخطی بهینه شدند. بیشینه مقدار ضریب ناخطی برای 1/5 درصد مولی Bi2O3 در دمای تف جوشی 850درجه سانتیگراد به دست آمد.