ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک

محل انتشار: کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,011

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/461116

شناسه ملی سند علمی:

NCAEC01_017

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در کار پژوهشی حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد و سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد و در نهایت به کمک نتایج حاصل از این محاسبات چگالی جریان تونل زنی گیت شبیه سازی شد. عملکرد لایه ی وارونگی به شکل یک چاه پتانسیل متقارن ساده سازی شده است. تابع موج به دست آمده از مدل پیشنهادی در واسط، مقداری غیر صفر است که از سازگاری بیشتری با نتایج تجربی جدید ارایه شده در مقالات معتبر برخوردار است. نتایج شبیه سازی های مدل پیشنهادی با مدل های معتبر دیگر مقایسه شد و انطباق بالای آن را نشان داد.

کلیدواژه ها:

تابع موج ، ضخامت اکسید ، چاه پتانسیل ، چگالی جریان تونل زنی

نویسندگان

حسن مسلمی

مجتمع آموزش عالی فنی و مهندسی اسفراین

ایمان عباسپور

دانشگاه سلمان فارسی کازرون

مهرداد عمیدی

دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • هشتم و نهم مهرماه ماه 1394، مجتمع آموزش عالی اسفراین ...
  • Dennard RH, Gaensslen FH, Yu H-N, Rideout VL, Bassous E, ...
  • Majkusiak B.، Gate tunnel current in an MOS transistor". IEEE ...
  • S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semicond uctor ...
  • Momose HS, Ono M, Yoshitomi T, Ohguro T, Nakamura S, ...
  • geometry MOSFETs: IEDM Tech Dig 1994: pp.593- 6. ...
  • Xiaoyan Liu , Jinfeng Kang, Ruqi Han, :Direct tunneling current ...
  • Shih W-K, Wang EX, Jallepalli S, Leon F, Maziar CM, ...
  • ultra-thin oxide0. Solid-State Electron 1998; vol 42(6): pp. 997-1006. ...
  • N. Yang, W. Kicklen Hensen, J.R. Hauser, et al., "Modeling ...
  • measurements in _ devices", IEEE Trans. Electron Devices, 1999 ; ...
  • Cai J, Sah C-T.، Gate tunneling currents in ultrathin oxide ...
  • L.F. Register, E. Rosenbaum, K. Yang, "Analytic model for direct ...
  • Appl. Phys. Lett. 1999, vol74 (3): pp. 457-459. ...
  • S.A. Hareland, S. K rishnamurthy _ S. Jallepalli, et al., ...
  • channel MOSFETs, IEEE Trans. Electron Devices, 1996, vol 43 ...
  • K. F. Schuegraf, C. C. King, and C. Hu, "Ultra- ...
  • K. F. Schuegraf and C. Hu, ،Hole Injection Sio Breakdown ...
  • Devices, vol. 1994, vol 41, no. 5: pp. 761-767. ...
  • W. C. Lee and C. Hu, "Modeling CMOS tunneling currents ...
  • tunneling, " IEEE Tran. _ Electron Devices. , Jul. _ ...
  • C.H. Lin, J.B. Kuo, "Closed-form partitioned gate tunneling current model ...
  • , vol 53: pp.1 191-1197. ...
  • pp.1682- م Electron Devices. JULY 2008, vol 55. no. [16] ...
  • poly- Si/SiO, /Si structures". Solid-State Electron, 1995; vol 38(8): pp.1465-71. ...
  • d e vices, septemb er 2082-2(090. ...
  • from NMOS inversion layers, " Solid State Electron, Oct. 2001, ...
  • McMillan, 2004: _ 380-397 and ...
    • نمایش کامل مراجع