مدلسازی جریان کوانتمی درنانوترانزیستورهای گرافنی دو لایه

گرافن دارای ویژگی باور نکردنی انتقال حامل با کاربرد زیاد در سطح تک ملکولی می باشد. نانو نوارهای گرافنی در ساخت ترانزیستورها، مدارهای مجتمع، ساطع کننده های مادون قرمز، سنسورها و... کاربرد دارند. از آنجایی که لبه های گرافن تعیین کننده خواص الکتریکی آن هستند، می توان آن ها را به دلیل شکل متفاوتشان تحت کنترل در آورد. در این مقاله گرافن نانو ریبون دو لایه (BGN) مورد بررسی قرار می گیرد که دارای دو ساختار متفاوت از نظرلبه می باشد. ساختار AA از (BGN) دارای خواص فلزی است در حالیکه ساختار AB دارای خواص نیمه هادی با انرژی باند در حدود 02/0 ولت است. در اینجا ابتدا پلت فرم پایه ترانزیستور شاتکی برای گرافن نانو ریبون دو لایه مدل سازی شده است. سپس ضریب انتقال به عنوان عامل اصلی انتقال مورد بحث قرار گرفته و خواص کوانتومی آن با توجه به پارامترهای ساختاری تجزیه و تحلیل می شود. در پایان جریان کوانتمی را به دست آورده و با داده های تجربی مقایسه می کنیم که بین مدل پیشنهادی و داده های تجربی هماهنگی خوبی وجود دارد.

کلیدواژه ها:

گرافن دو لایه ، مدل تحلیلی ، منطقه تبهگن و ناتبهگن ، جریان کوانتمی ، ضریب عبور