مروری برکاربرد ترانزیستورهای حساس به یون به عنوان حسگرهای بیولوژیکی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,038
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEE02_095
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) را در سال 1970 برای سنجش های فیزیولوژی عصبی معرفی شد، که یک الکترود شیشه ای و یک MOSFET)Metal-Oxide-Semiconductor FET) ترکیب می شود تا فعالیت های یون را براساس تفاوتهای پتانسیلی دو الکترود ثبت نماید. از آن پس ، کارهای بسیاری برای پیشرفت عملکرد ISFET ها بعنوان سنسورها انجام شده است و موارد جدیدی معرفی شده که به یونهای مختلفی حساسند. در این مقاله به مروری بر کاربردها ترانزیستور ISFET به عنوان حسگر پرداخته شده و انواع مختلف این ترانزیستور را برای این کاربردها معرفی می نماییم.
نویسندگان
علی الیاسی
گروه برق-دانشکده فنی مهندسی- واحد ساوه- دانشگاه آزاد اسلمی- ساوه- ایران
شهریار جاماسب
دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :