طراحی مداری جدیدی از سنسورهای حرکتی در مد جریان با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 608

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCCEB01_118

تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله مدار تشخیص حرکت با استفاده از تکنولوژی نانو لوله های کربنی (CNTFET) با مد جریان پیشنهاد داده ایم که نسبت به مدارهای تشخیص حرکت بر اساس مدل CMOS از سرعت بالا و توان مصرفی پایینی برخوردار می باشد. دانشمندان و متخصصین همواره در تلاش برای ساخت سنسورها با استفاده از فناوری های جدید،دارای طول عمر مفید بیشتر،دقیق تر و ارزان قیمت تر هستند.دو مدار پیشنهادی با HSPICE شبیه سازی شده و نتایج شبیه سازی نشان می دهد که هر دو مدار می توانند جهت حرکت را تشخیص دهند.نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مدار دوم در دماها و جریانهای مختلف عملکرد بهتری نسبت به مدار اول دارد.

نویسندگان

ال ناز فیاضی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمان، بخش مهندسی کامپیوتر

پیمان کشاورزیان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان، بخش مهندسی کامپیوتر