تصحیح اثر ناهمگنی های سطحی بر داده های مگنتوتلوریک

تفسیر داده های مگنتوتلوریک در نواحی با حضور ناهمگنی های الکتریکی سطحی معمولاً با دشواری همراه است. اثر این ناهمگنی ها بر روی داده های مگنتوتلوریک، تغییرات مقاومت الکتریکی و فاز را به دنبال دارد. جابه جایی ایستا یا جابه جایی قائم نمودار مقاومت الکتریکی، به عنوان اثری ناشی از ناهمگنی های الکتریکی سطحی، با استفاده از روش های مختلف شامل روش سونداژ مغناطیسی TEM و استفاده از میانگین هندسی مؤلفه های تانسور امپدانس قابل تصحیح است. در این مطالعه روش سونداژ مغناطیسی TEM ، به دلیل عدم تاثیرپذیری میدان مغناطیسی از ناهمگنی های سطحی، در تصحیح اثر جابه جایی ایستا و تعیین ضریب آن به کار گرفته شده است. استفاده از میانگین هندسی مؤلفه های تانسور امپدانس پس از تصحیح جابه جایی ایستا، حداقل اثر ناهمگنی های سطحی و اثرات بعدی در مدل مقاومت الکتریکی ناحیه مورد نظر را به دنبال دارد.

کلیدواژه ها:

روش مگنتوتلوریک ، ناهمگنی های سطحی ، جابه جایی ایستا