بررسی تاثیر نرخ ورودی و دمای سطح زیر لایه در فرآیندلایه نشانی کربید سلیسیم

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 747

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCFDACCI05_005

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1393

چکیده مقاله:

با توجه به اینکه در صنایع نفت و گاز پوشش دهی قطعاتی که در مسیر گازهای داغ قرار دارند از اهمیت بالایی برخوردار است و از آنجا که یکی از کاربردی ترین این روش ها روش لایه نشانی شیمیایی بخار بکمک پلاسما می باشد، در این مقاله سعی شده تا به بررسی دو پارامتر مهم در نرخ لایه نشانی این روش پرداخته شود. با توجه به کاربردهای فراوان کربید سلیسیم در پوشش دهی قطعات توربین ها و کمپرسورها، این ماده به عنوان ماده اصلی دز این لایه نشانی مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. ورودی رآکتور متشکل از 2% گاز سیلان (SiH4) و 2% گاز پروپان (C3H8)، به عنوان گاز اصلی واکنش دهنده و 96 % مولی گاز هیدروژن به عنوان گاز پیشران می باشد که محیط پلاسما را ایجاد می کنند. در این شبیه سازی، محیط گازی، محیطی پیوسته، جریان گاز، جریانی آرام و 6 دبی ورودی گاز مختلف بر حسب سانتی متر مکعب بر دقیقه فرض شده است. در نتیجه این شبیه سازی که با استفاده از نرم افزار فلوئنت انجام شده است، نرخ لایه نشانی کربید سیلیسوم و همچنین پروفیل لایه نشانی محاسبه شده و اثر افزایش دو پارامتر مختلف سرعت ورودی و دمای سطح بر روی لایه نشانی روی زیر لایه به ترتیب افزایشی و کاهشی مشاهده شد.

کلیدواژه ها:

لایه نشانی به کمک پلاسما ، شبیه سازی ، کربید سیلیسیم ، گاز سیلان ، گاز پروپان

نویسندگان

امین بهزادمهر

هیات علمی دانشگاه سیستان و بلوچستان

طاهره فنایی

هیات علمی دانشگاه سیستان و بلوچستان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Dehbi-Alaou A. Vacuum, . 1995. ...
  • M. Scheib, B. Schroder, H.Y. J. Oechsner, Non- CrystSolids , ...
  • G.H. Evans, R. Grief, Numerical Heat Transfer , vol. 14 ...
  • T. Ohmine, K. Kotaoka, Y. Sato, Journal of Electronic Materials, ...
  • C.R. Biber, C.A. Wang, S. Motakef, Journal of Crystal Growth, ...
  • C.Y. Soong, C.H.R. Chyuan, Y. Tzong, Japanese Journal of AppliedPhysic ...
  • L. Jianga, X. Chena, X. Wanga, L. Xua, F. Stubhanb, ...
  • J.Z. Ding, , Y. Yazhi, S. Ningyi, W. Mingming, Y. ...
  • L. Layeillon, A. Dollet, J.P. Couderc, B. Despax, "Analysis and ...
  • E.S. Hamby, A.T. Demos, P.T. kabamba, p.p. Khargonekar, _ Control ...
  • J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, ...
  • H.S. Cho, D.J. Choi, "The Study of Dielectric Constant Change ...
  • نمایش کامل مراجع