یک نانو وایرترانزیستوراثر میدانی سیلیسیومی دورتا دورگیتی دو ماده ای با کار برد بالا

در این مقاله یک ترانزیستور فینفت با ساختار استوانه ای، دوگیتی دوماده ای برای بهبود اثرات کوتاه کانال ارایه و بررسی شده است.در گیت های دو ماده ای، دو ماده ی متفاوت با توابع کار مختلف، به صورت جانبی به هم متصل می شوند. در نتیجه توزیع میدان الکتریکی در کانال نسبت به گیت های یک ماده ای یکنواخت تر شده و سرعت حامل ها هنگام ورود از سورس به کانال افزایش می یابد که این باعث بهبود جریان الکتریکی در ترانزیستور می گردد. در این ساختار، قسمتی از گیت فین فت از پلی سیلیسیم و قسمتی دیگر از آلومینیوم انتخاب شده و تاثیرات طول گیت و طول کانال بر روی عملکرد این نوع افزاره مورد مطالعه قرار میگیرد. نتایج نشان میدهند که کاهش طول کانال منجر به افزایش جریان درین میشود. همچنین در طول های گیت کمتر میزان جریان روشن بهبود یافته میزان ولتاژ آستانه نیز کاهش مییابد. لذا این ساختار میتواند کاندید مناسبی برای ترانزیستورهای ابعاد نانو باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانو وایر ، فین فت ، مشخصه شیب زیرآستانه