خواص تشعشعی بهینه نانو پوششهای غیر فلزی با استفاده از الگوریتم ممتیک متاهیوریستیک جهش ترکیبی قورباغه

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 498

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCMII01_169

تاریخ نمایه سازی: 22 اردیبهشت 1393

چکیده مقاله:

نقش پوشش با لایه های نازک در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک بسیار با اهمیت می باشد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختار های چند لایه ای شامل سیلیکون و مواد غیر فلزی مانند دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون، با پارامترهای متفاوت، جهت کاربردهای سیستمهای کوچک ضروری است. لذا در این مقاله خواص تشعشعی طیفی، جهتی و وابسته به دما از ساختارهای چند لایه ای بسیار نازک شامل ضریب بازتاب، ضریب عبور، ضریب گسیل مورد بررسی قرار گرفته است. از بیان های تجربی برای ثابت های نوری سیلیکون آلاییده کم استفاده قرار شده است. لایه های پوشش در دمای 25 درجه سانتیگراد بررسی شده است و زاویه برخورد موج الکترومغناطیس به ساختار چند لایه ای در نظر گرفته شده است. با بکارگیری الگوریتم ممتیک متاهیوریستیک جهش ترکیبی قورباغه مناسب ترین پوشش، از نطر ضخامت و ضرایب بهینه بهبود داده شده است. نتایج نشان دهنده این است که پوشش دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون ، مانند ضد بازتاب عمل می کند و این پوشش ها منجر به کاهش ضریب بازتاب نسبت به زیر لایه سیلیکون می-گردند

کلیدواژه ها:

پوشش بازتاب ، گسیل ، عبور ، الگوریتم الگوریتم ممتیک متاهیوریستیک جهش ترکیبی قورباغه ، نانو پوشش ها

نویسندگان

احمد شکرالهی قیلو

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد،گروه مهندسی مکانیک،یزد ،ایران

سیدامیرعباس علوی

استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد- گروه مکانیک- یزد- ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Lee, B. J. and Zhang, Z. M., "Modeling Radiative Properties ...
  • andHeat Transfer, vol 19, No4, pp.558- 565, 2005. ...
  • Mulet, J. P., Joulain, K., Carminati, R., and Greffet, J. ...
  • Thermophy sical Engineering, vol. 6, pp. 209- 222, 2002. ...
  • Fu, C.J., Zhang, Z.M., "Nanoscale radiation het transfer for silicon ...
  • ofThermophys ics, Vol. 22, No. 5, pp 1593-1611, 2001. ...
  • Oloomi, S.A.A, Sabounchi, A and Sedaghat, A. "Computing Thermal Radiative ...
  • P.J. Timans, _ thermal radiative properties of S emiconductors _ ...
  • Publishers, Dordrecht, Netherlands, 1996, pp. 35-102. ...
  • Z. M. Zhang, C. J. Fu, and Q. Z. Zhu, ...
  • Micro/N anotechnology, _ Adv. Heat Transfer, vol. 37, 2003, pp. ...
  • G. E. Jellison and F. A. Modine, "Optical Functions of ...
  • H. H. Li, "Refractive Index of Silicon and Wavelength ...
  • and Temperature Derivatives, " _ Phys. Chem. Ref. Data, vol. ...
  • P. J. Timans, "Emissivity of Silicon at Elevated Temperatures, " ...
  • G. G. Macfarlane, T. P. Mclean, J. E. Quarrington, and ...
  • J. C. Sturm and C. M. Reaves, "Silicon by ...
  • Infrared Absorption _ Fundamental Processes and Doping Effects, " IEEE ...
  • P. Vandenabe.ee and K. Maex, "Influence of Temperature and Backside ...
  • B. J. Lee and Z. M. Zhang, "Modeling Radiative Properties ...
  • THERMOPH YSICS AND HEAT TRANSFER, Vol 19, No4, 2005, pp.558-565. ...
  • H. R. Philipp, "Silicon Dioxide (SiOA), " ; :Silicon Nitride ...
  • Dervis KARABO GA, "A Simple and Global Engineering ...
  • Problems: Diferential Ev oluti onAlgorithm, Turk J Elec Engin, VOL.12, ...
  • نمایش کامل مراجع