تحلیل مشخصه های ترانزیستور اثر میدانی تونلی گرافینی GTFET در مقیاس نانو
محل انتشار: ششمین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 338
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE06_096
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار و مشخصه های افزاره اثر میدانی تونلی گرافینی (GTFET) در مقیاس نانو بررسی شده است. با بررسی سه ساختاردر نظر گرفته شده برای افزاره شامل گرافین دارای شکاف باند و بدون شکاف باند و ترکیبی از هر دو در میان نواحی سورس، کانال و درین، مشخص گردید که نسبت Ion/Ioff در ساختار ترکیب گرافین دارای شکاف باند و بدون شکاف بهبود قابل توجهی در مقایسه با سایر ساختارها درمقیاس نانو داشته و دارای مشخصه های خروج مناسب تری جهت کاربرد آنالوگ و دیجیتال میباشد. همچنین شبیهسازیها نشان داد با کاهش غلطت ناخالصی نواحی مختلف، جریان کشیده شده و ولتاژ آستانه (Vth) افزاره کاهش مییابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
بهنام بابازاده داریان
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
محمدرضا نوری زاده اردبیلی
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران