طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کمنویز فراپهن باند با استفاده از تکنیک کاهش نویز و بهبود خطسانی

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز (LNA) با خطسانی بالا برای کاربردهای فرا پهن باند ارایه شده است. LNA پیشنهادی نقطهتقاطع مرتبه سوم را به وسیله خنثی کردن مد مشترک تمامی مولفه های انترمدولاسیون که در جریان خروجی ظاهر می شوند بهبود داده است. ساختار LNA پیشنهادی جریان های مد مشترک برابر ولی با علامت مخالف هم، به وسیله کسکید کردن دو جفت دیفرانسلی با اتصال ضربدری خروجی تولید می کند. این جریان ها همدیگر را در خروجی حذف می کنند و باعث بهبود خطسانی می شوند. همچنین LNA پیشنهادی عملکرد نویز را با خنثی کردن نویز گرمایی ترانزیستورهای ورودی و کمکی در خروجی مدار بهبود می بخشد. برای نشان دادن تاثیر ساختار LNA پیشنهادی آنالیز دقیق آن ارایه شده است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی 180nm CMOS با ADS عبارت است از 12.2dB گین توان، پهنای باند-3dB از 3.1GHz تا 10.6 GHz، IIP3 برابر +8.2dBmاست.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، خطی سازی ، بهبود نویز ، IIP3