Calculating the Emission Energy Levels in GaN/InGaN tilted rectangular Quantum Well nanostructures
محل انتشار: اولین همایش نانومواد و نانوتکنولوژی
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,841
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNN01_104
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1391
چکیده مقاله:
The aim of this work is calculating the emission energy for the Ga N / In Ga N x 1−x Nanostructures. The potential of these structures in wurtzites state exhibits a finite tilted rectangular quantum well potential dueto the wurtzites asymmetric crystal structures. The energy emission levelshave been numerically calculated for them Via Maple program by nearly free electron approach and by using the physical parameters such aselectron and hole effective masses, well width, barrier potential (valance and conduction band offsets), exciton binding energy & intensity of polarizationfield and the results show a good agreement with the experimental energy emission measured by photoluminescence technique
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Sahar Khoshabadi
Department of Physics, University of technology of shahrood, shahrood