بررسی مدلهای نانومتریک CMOS و کاربرد آن دریک تقویت کننده زوج تفاضلی با تکنولوژی GATE BULK DRIVEN DRIVEN

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,833

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCNN01_251

تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1391

چکیده مقاله:

امروزه با رشد فناوری نانو درهمه ابعاد شاهدجهشی بزرگ در عرصه فناوری هستیم دراین راستا شاید بتوان علم الکترونیک را به عنوان پیشرو این صنعت برشمرد می دانیم که ترانزیستور های با ابعاد ریزمیکون و نانوباعث انقلابی درصنعت کامپیوتر شده است یکی از مهمترین اهداف طراحان دست یابی مدارات با توان ورودی پایینتر می باشد دراین زمینه کاهش ابعاد ترانزیستورها و همچنین چندین تکنیک از قبیل راه اندازی از طریق پایه بالک زیراستانه خودکسکود و گیت شناور و ... Floating-gate ; Self-cascodeSub-Threshold ; Bulk-driven برای کاهش ولتاژ تغذیه مورد استفاده قرارمی گیرد فناوری Bulk-driven بطور عمده درطبقه ورودی تقویت کننده دیفرانسیلی و جریان آینه ای مورد استفاده قرارگرفته است دراین مقاله به بررسی طبقه ورودی برای یک تقویت کننده با تکنیک Gate-driven Bulk-driven درمقیاس نانو می پردازیم اولین مرحله از طراحی یک ریزتراشه نیاز به شبیه سازی مدارات طراحی شده داریم مدلهایمختلفی برای برنامه ای کاربردی شبیه سازی ارایه شده است شرکت های سازنده ترانزیستور نیز برای طراحان مدلهای ارایه داده اند استفاده از یک مدل مناسب به طراحاان مدارهای دیجیتال و آنالوگ این امکان را میدهد تا پیش از فرایندساخت درک مناسبی از رفتار مدارطرح شده داشته باشند.

کلیدواژه ها:

مدلهای نانومتریک CMOS ، تکنیک Gate driven Bulk-driven تقویت کننده تفاضلی

نویسندگان

محمدجواد مهینی فر

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک

محمود آل شمس

استاد راهنمای دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا دکتری الکترونیک

محسن ایمانیه

دکتریالکترونیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • بهزاد، رضوی "طراحی مدارات آنالوگ [11"(1385) ...
  • Analog and Mixed-Signal Center-Bulk driven Trans is tor-Department of Electrical ...
  • Juan M. Carrillo "Single-pair bulk-driven CMOS input stage: A compact ...
  • Andrew Gross, Allen Evans, and Byongsoo Kim"Nano -Power Low Voltage ...
  • J.M. Carrillo, J.F. Duque-Carilo, G. Torelli, J.L. Aus n, Constant-gm ...
  • T. Song, J. Hu, X. Li, S. Yan, A constant-gm ...
  • http _ //www.mosis .com ...
  • نمایش کامل مراجع