کاهش تلفاتو پارازیت های مغناطیسی مبدلهای کلیدزنی با استفاده از ترانسفورماتورهای نانوساختار
محل انتشار: اولین همایش نانومواد و نانوتکنولوژی
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 984
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNN01_254
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1391
چکیده مقاله:
مدارهای مغناطیسی به میزان وسیعی درمبدلهای کلیدزنی الکترونیک قدرت همچون مبدلهای AC / DC و DC/DC مورد استفاده قرار میگیرند دراین مدارها افزایش فرکانس کلیدزنی یکمزیت محسوب می شود زیرا با افزایش فرکانس می توان سایز قسمتهای مغناطیسی را کاهش داد که این موضوع از نظر اقتصادی بسیار پراهمیت میباشد اما با افزایش فرکانس حجم تلفات درهسته های مغناطیسی مرسوم و سیم پیچی ها افزایش می یابد که در واقع این موضوع مهمترین محدودیت در افزایش فرکانس کلیدزنی است از دیگر محدودیت های افزایش فرکانس افزایش میزان پارازیت های مغناطیسی می باشد درترانسفورماتورها افزایش فرکانس باعث افزایش اندوکتانس نشتی و افزایش خازن معادل بین سیم پیچی ها می شود این پارازیت باعث ایجاد ولتاژهای ناخواسته و جریانهای نشتی در ترانسفورماتور های موجوددر ساختار مبدل می شود که تلفات را افزایش داده و کاهش راندمان را نتیجه می دهنددراین مقاله پس از بررسی وژگیهای خاص هسته های نانوساختار بطور خاص به بررسی نقش ترانسفورماتورهای مونتاژ شده با هسته های نانوساختار درکاهش تلفات و کاهش پارازیت های مغناطیسی در صورت جایگزینی با ترانسفورماتورهای مرسوم دریک مبدلهای الکترونیک قدرت پرداخته می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
کریم سلطان زاده
دانشجوی کارشناسی ارشد گروه برق
علیرضا توکلی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
پریسا بزرگزادارباب
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدنجف آباد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :