بررسی نانوساختار لایه هاینازک نیترید مولیبدن بصورت تابعی از دمای بازپخت برروی زیرلایه ی سیلیکون

ابتدا لایه های نازک مولیبدن با استفاده از روش اسپاترینگ مغناطیسی DC برروی زیرلایه های سیلیکون و کوارتز به وسیله هدف مولیبدن با خلوص 99/9% تهیه گردید که ضخامت لایه تهیه شده درحدود 190/3 نانومتر اندازه گیری شد سپس لایه های مولیبدن را درداخل کوره بازپخت درمعرض گاز نیتروژن دردماهای 400 و 550 و 700 و 850 درجه سانتیگرادبا شیب حرارتی 5C/min نیترید کردیم آنالیزهای F.P.P AFM <XRD برروی نمونه ها صورت گرفت از آنالیز Xrd برای شناسایی فازها و جهت ترجیحی لایه ها استفاده گردید مورفولوژِ سطح لایه های نیترید مولیبدن نیز با استفاده ازآنالیز AFM بررسی و مشخص گردید که با افزایش دمای بازپخت لایه ها زبری سطح نیز افزایش می یابد مقاومت سطحی لایه ها نیز به وسیله F.P.P اندازه گیری و مشاهده شد که با افزایش دمای بازپخت مقاومت سطحی و مقاومت ویژه ی لایه های نازک نیترید مولیبدن کاهش می یابد که نشان دهنده رسانایی الکتریکی بهتر لایه ها می باشد.

کلیدواژه ها:

لایه نازک ، اسپاترینگ مغناطیسیDC مولیبدن ، نیترید مولیبدن