مدل تحلیلی تراکم حامل نانو نوارهای گرافنی سه لایه

با استفاده از کاربرد گرافن در صنعت الکترونیک می توان به ترانزیستورهاى سریع و کوچک با مصرف انرژى کمتر و پراکندگى حرارتى بیشتر نسبت به ابزارهاى پایه سیلیکونى دست یافت. از آنجایی که لبه های گرافن تعیین کننده خواص الکتریکی آن هستند، می توان مورد بررسی قرار می گیرد که دارای TGN آنها را به دلیل شکل متفاوتشان تحت کنترل در آورد. در اینجا گرافن نانو ریبون سه لایه دو ساختار متفاوت از نظرلبه می باشد. این تحقیق، یک مدل سازی از وضعیت غلظت حامل را در حالت های تبهگن و ناتبهگن در مورد TGN ارایه می دهد. با استفاده از بسط تیلور بر روی توزیع نسبی انرژی و چگالی حالات تراکم حالت ها مدل سازی می شود

کلیدواژه ها:

نانو نوارهای گرافنی سه لایه ، تراکم حامل ، مدل تحلیلی ، تقریب تبهگن و ناتبهگن