بررسی عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری فروسیال در لوله ای شامل قسمتهایی با عایق الکترو مغناطیس،یدان مغناطیسی تحت یک میدان مغناطیسی

در این پژوهش بررسی عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری فروسیال در داخل یک لوله مسی مدور شامل قسمتهایی با عایق الکترو مغناطیس تحت یک میدان مغناطیسی متناوب انجام شده است.جریان از طریق یک لوله تحت فشار حرارتی یکنواخت و آرام عبور می کند. شدت بخشیدن به انتقال ذرات و آشفتگی در لایه مرزی با استفاده از اثر میدان مغناطیسی بر روی نانوذرات برای افزایش انتقال حرارت بیشتر، هدف اصلی بوده است.فرآیند انتقال حرارت با غلظت ها و حجم های مختلف،تحت فرکانس های مختلف میدان مغناطیسی اعمال شده و مورد بررسی قرار گرفتند.اثرات میدان مغناطیسی،بر مقدار ضریب انتقال حرارت جابجایی در درصدهای حجمی و اعداد رینولدز مختلف مورد بررسی قرار گرفته اند. همچنین حالتی که لوله شامل قسمتهایی با عایق الکترو مغناطیس می باشد مورد مطالعه قرار گرفته و با حالت بدون عایق مقایسه شده اند.افزایش فرکانس متناوب میدان مغناطیسی و کسر حجمی،منجر به افزایش بهتر انتقال حرارت گردیدند.اثر میدان مغناطیسی در اعداد رینولدز کم تاثیر بیشتری را نشان داده است.برای اثبات نتایج عددی مورد بررسی در این پژوهش ابتدا یک کار تجربی مورد بررسی قرار گرفته است، هماهنگی خوبی بین نتایج بدست آمده از بررسی عددی و داده های تجربی انجام شده وجود دارد و حداکثر خطای روش عددی انجام شده کمتر از 8% بوده است.

کلیدواژه ها:

فروفلوئید ، نانو ذرات ، انتقال حرارت جابجایی ، میدان مغناطیسی متناوب