اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,211
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_164
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
چکیده مقاله:
در این مقاله اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی بررسی شده است. نشان داده شده است این ساختارها در غیاب بهره دارای گاف باند فوتونی هستند، اما در حضور بهره گاف باند فوتونی ساختار از بین می رود. لذا امواج الکترومغناطیسی با فرکانسی در ناحیه گاف باند میتوانند در بلور فوتونی حاوی بهره منتشر شوند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
صمد روشن انتظار
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران
سعید بیگ زاده
دانشگاه بناب، گروه اپتیک و لیزر، بناب، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :