بررسی خواصاپتیکی دی اکسیدقلع به وسیله محدودشدگی کوانتومی درنانوساختارها

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 857

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE02_216

تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389

چکیده مقاله:

در این پژوهشطیف انرژی، تغییرات اندازهی نانوذرات نیمهرسانا و همچنین تغییرات جرم موثر کاهشیافته در نانوذرات نیمهرسانایSnO2 تهیه شده با روشهای مختلف بررسی شدهاند. مدلهای کوانتومی به کار رفته در این بررسی، تقریب جرمموثرEMA)1 و مدل نواری هیپربولیکHBM)2 است. مقایسه نتایج نشان میدهد که رفتار پراکندگی حول و حوشیکمقدار خاصدر مورد مدلهای مختلف، متفاوت میباشد و این رفتار به نحوه تهیه و آنالیز نمونهها بستگی دارد. همچنین مدلهای کوانتومی EMA وHBM در نانوساختارهای نیمهرسانا با گاف انرژی مستقیم بزرگ و کوچکرفتار کوانتومی و تغییرات آن با اندازه ذرات مورد بررسی قرارگرفتهاند. نتایج بررسی حاکی از آن هستند که مقدار گاف انرژی تاثیر مستقیم بر روی رفتار اثر کوانتومی در نانوساختارهای نیمهرسانا دارد البته علاوه بر این مسئله، اختلاف گاف انرژیهای مختلف نیز دارای رفتارهای مختلفی میباشد

نویسندگان

فاطمه قلی زاده

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد قم

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان، 28 و 29 اردیبهشت 1390 ...
  • G. D. Gilliland, Materials Scince and Engineering, R 18, 99- ...
  • D. A. B. Miller, Semiconductor Optoelectronics Devices, Stanford University, _ ...
  • Bart Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices, Colarado University ...
  • P. K. Bsu, N. Saha, S. Basu, J Mater Sc: ...
  • Sh. Z. Kang, Y. Yang, J. Mu, Colloids and Surface ...
  • X. Zhang, Sh. Hou, H. Mao, J. Wang, Z. Zhu, ...
  • S. Takahashi, H. Wada, A. Noguchi, O. Odawara, Materials Letters ...
  • J. Klanwan, N. Akrapattangkul , V. Pavarajarn, T. Seto, Y. ...
  • Z. Ji, Sh. Zhao, C. Wang, K. Liu, Materials Scince ...
  • B. Carlson, K. Leschkies. E. S. Aydil, X. -Y. Zhu, ...
  • P. Zhang, W. Liu, Biomaterials 3 (2010) 3087-3094 ...
  • J. Liqiang, W. Baiqi, X. Baifu, L. Shudan, Sh. Keying, ...
  • Q. Yuan, S. Hein. R. D. K. Misra, ActaB iomaterialia ...
  • S. Modak, S. Acharya, A. B andyopadhyay, S. Karan, S. ...
  • H. Zhang, N. Du, _ Chen, T. Cui, D. Yang, ...
  • Y. Li, Y. H. Zhang, W. Liu, V. Ortalan, Y. ...
  • M uthuvinayagam, N.Melikechi, P. D. Christy, P. Sagayaraj, Physica B ...
  • A. Umar, Journal of Alloys and Compounds 485 (2009) 795- ...
  • _ _ Zhou, D. Xu, D. ...
  • S. Sambasivam S. B. Kim, J. H. Jeong, B. C. ...
  • L. KGrosi, S. Papp, V. Meynen, P. Cool, E. F. ...
  • V. Taghvaei, A. Habibi-Yangj eh, M. Behboudnia, powder Technology 195 ...
  • نمایش کامل مراجع