بررسی کمی تاثیر تراکم نیتروژن و بازپخت بر خواص ترابری الکتریکی در نیمرسانای نیتروژن دار رقیق آلایش شده GaNxAs1-x:Si

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 598

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE03_147

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی وابستگی دمایی تحرک حامل ها در نمونه های نیتروژندار رقیق آلایش شده که به روش MBE رشد یافته اند، پرداخته ایم. داده های تجربی نشانگر بالاتر بودن تحرک الکترونی در نمونه با کسر مولی نیتروژنی کمتر بوده، همچنین معلوم شده است که تحرکالکترونی با افزایش دمای بازپخت رو به افزایش گذاشته است. نتایج محاسبات ما مبتنی بر قاعد ه ی ماتیسن حاکی ازآن است که این تغییرات تحت تاثیر عوامل الکترونی مختلف از جمله مکانیسم های پراکندگی، تراکم تله های الکترونیو دررفتگی ها قابل توضیح می باشد.

کلیدواژه ها:

بازپخت گرمایی ، تحرک الکترونی ، مکانیسم های پراکندگی ، نیمرساناهای نیتروژن دار رقیق

نویسندگان

فاطمه تیزرو اسپلی

شاهرود، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود

حسین عشقی

شاهرود، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • M. Reason, Y. Jin, H. A. McKay, N. Mangan, D. ...
  • R. Mouillet, L. A. de Vaulchier, E. Deleporte, Y.Guldner, L. ...
  • F. Ishikawa, G. Mussler, K. J. Friedland, H. Kostial, K. ...
  • D.A. Anderson, N. Aspley, Semicond. Sci. Technol. I (1986) ...
  • Erginsoy, Phy. Rev. 79 (1950) 1013. ...
  • H. Brooks, Phys. Rev. 83 (1951) 879. ...
  • B.Podor, Phy. Stat. Sol. 16 (1966) k167. ...
  • S.Fahy, E.P.O'Reilly, Physica E 21 (2004) 881. ...
  • S.Fahy, A.Lindsay, E.P. O'Reilly, IEEE Proceedings Optoe lectronics, 151 (2004) ...
  • T.Suzuki, T.Yammaguchi, Phys. Stat. Sol.(b), 7 (2003) 2769- 2772. ...
  • S. Fahy, A. Lindsay, E. P. Oreily, Theory of electron ...
  • M.Adamcyke, Epitaxial growth of dilute nitride-arsen ide compound semiconductor by ...
  • نمایش کامل مراجع