محاسبه ضخامت لایه های In و Cu-Ga به منظور بهینه سازی عملکرد سلول خورشیدی لایه نازک CLGS
محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 770
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_174
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
رفتار فوتوولتائیک و بازدهی سلوا خورشیدی لایه نازک CLGS به شدت به ضخامت لایه ها و به تبع آن به نسبت اتمی عناصر بکار رفته در نیمرسانای نوع P آن وابسته است. این عناصر شامل مس، ایندیوم، گالیوم و سلنیوم هستند که از بین نسبت های اتمی گسترده ای که می تواند حاصل شود، تنها به ازای بازه ی کوچکی از این نسبت ها رسانایی نوع P و همچنین غلظت مطلوب برای حامل ها مشاهده می شود. در این تحقیق با محاسبه درصد اتم های هریک از عناصر در ضخامت های مربوطه، ضخامت بهینه لایه های In و Cu-Ga به لحاظ تئوری محاسبه شده و رابطه هایی برای آنها بر حسب ضخامت کل لایه CLG و نسبت مس به ایندیوم ارائه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهرداد مرادی
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
سید محمد باقر قرشی
گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
مصطفی زاهدی فر
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان. گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
طیبه قربانی
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :