نانو ترانزیستور های آلی با گیت دی الکتریک هیبریدی پلی استایرن/اکسید هافنیوم

در کار حاضر نانو کامپوزیت های هیبریدی اکسید هافنیوم/ پلی استایرن به روش سل-ژل به عنوان گیت دی الکتریک برای ترانزیستورهای لایه نازک آلی با ولتاژ کم تهیه شده است. در این روش از پلی استایرن، کلراید هافنیوم (HFCl4)، اتانول به عنوان حلال و اسید نیترک استفاده شده است. ویژگی های نانو ساختاری به کمک تکنیک های میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FTIR)و نرم افزار X-Powder مورد بررسی قرار گرفته است. .نتایج حاصله نشان می دهد که نانو کامپوزیت های هیبریدی پلی استایرن/اکسید هافنیوم قابلیت استفاده به عنوان گیت دی الکتریک را دارند و می توانند در بهبود کارآیی ترانزیستورهای لایه نازک آلی نقش مؤثری ایفا کنند.

کلیدواژه ها:

نانو کامپوزیت ، گیت دی الکترک ، پلی استایرن و روش سل - ژل