بررسی اثر بازپخت در خلاء بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک و شفاف ITO تهیه شده به روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی

لایه های نازک ITO بر روی زیرلایه های شیشه ای در دمای 200 درجه سانتیگراد با کمک روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی، لایه نشانی شده است. نمونه های لایه نشانی شده، در محیط اتمسفر و محیط خلا، در دماهای مختلف تحت بازپخت قرار گرفته اند. مقاومت الکتریکی نمونه پس از لایه نشانی Ωcm 1/84*10-1 اندازه گیری شد و پس از بازپخت در اتمسفر و خلاء (به ترتیب) 500 و 400 درجه سانتیگراد، به مقدار Ωcm 1/35*10-4 کاهش یافت. عبور نوری نمونه 78/66% بدست آمد. با استفاده از نتایج XRD، ثابت شبکه ˚10/08A محاسبه شد. باند ممنوعه نوری لایه های نازک 4/27, ITO بدست آمد. برای بررسی اندازه گیری خواص لایه های نازک ITO از سیستم چهارترمینالی، طیف سنج XRD ، UV/VIS/IR و AFM استفاده شده است.