طراحی و شبیه سازی دیود P-N و دیود PIN در باتری های رادیوایزوتوپی به منظور استفاده به عنوان انرژی های نو

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 907

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NEEREC08_114

تاریخ نمایه سازی: 28 اسفند 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، عملکرد دیود pin سیلیکون را با دیود p-n سیلیکون برای کاربرد در باتری های رادیوایزوتوپی بررسی و با هم مقایسه می کنیم. میدانالکتریکی ذاتی بین نیمه هادی دوپ شده (p و n) و نیمه هادی دوپ نشده (i) در این قطعه، موجب جداسازی جفت الکترون- حفره تولید شده به سبب تابش های هسته ای، می شود. برای انجام شبیه سازی ها از نرم افزار TCAD-SILVACO استفاده شده است. نتایج حاصل، با یکدیگر مقایسه شده و ایننتایج نشان میدهند که دیود pin سیلیکون جریان اتصال کوتاه بیشتری نسبت به دیود p-n سیلیکون دارد.

نویسندگان

زهره مرادی

دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی

مینا امیرمزلقانی

دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • حسین خسروی نیا، تعیین پارامترهای بهینه‌ی نیمه هادی سیلیکون برای ...
  • s" International Conference O Electrical Engineering and Renewable Energy [1] ...
  • Da-Yong Qiao , Xue-jiao chen, Yong Ren, and Wei-Zheng Yuan, ...
  • Haisheng San , Shulin Yao , Xiang Wang , Zaijun ...
  • LI FengHua, GAO Xu, YUAN YuanLin, YUAN JinShe & LU ...
  • نمایش کامل مراجع