اثر اسپین-مدار ذاتی بر ساختار الکترونی نانو نوارهای سیلیسنی لبه زیگزاگ
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانو از سنتز تا صنعت
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 460
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NFSI01_185
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
چکیده مقاله:
مقدمه: با کشف گرافن در یک دهه ی اخیر توجه زیادی بر روی ساختارهای دوبعدی معطوف شد]1[. سیلسن را می توان دومین ساختار جذاب از دسته ساختارهای دوبعدی دانست که از نظر ساختار الکترونیکی همانند گرافن دارای عدم گاف نواری است]2[. در این مقاله اثر اسپین-مدار ذاتی در نانونوارهای سیلیسنی لبه زیگزاگ را مورد بررسی قرار می دهیم. نشان خواهیم داد گاف نواری مورد نیاز جهت استفاده در ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر سیلیسن با اضافه کردن این برهمکنش به سامانه ایجاد خواهد شد.روش های محاسباتی: در این مقاله، با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در تقریب تنگ-بست به بررسی نانونوارهای سیلیسنی با لبه ی زیگزاگ با پهنای دو اتم در حضور اثر اسپین-مدار ذاتی می پردازیم. هامیلتونی سامانه در حضور اثر اسپین-مدار مدل بستگی قوی چند-نواری به صورت زیر نوشته می شود:]3[(1) که در رابطه ی1 H0 هامیلتونی در روش تنگ-بست چند نواری و HSO بخشی از هامیلتونی است که شامل برهمکنش اسپین-مدار می شود. ساختار الکترونی 2-ZSiNR در حضور از اسپین-مدار(a) و ساختار الکترونی ساختار الکترونی 2-ZSiNR در غیاب اثر اسپین-مدار.یافته ها، بحث و نتیجه گیری: با توجه به شکل1 اثر اسپین-مدار ذاتی باعث ایجاد گاف نواری در سطح فرمی شده است. همچنین با تغییر نوارهای باندهای زیگما انتظار داریم خواص اپتیکی سامانه نیز دستخوش تغییرات شده باشد. لذا قابل پیش بینی است که بتوان از نانونوارهای سیلیسنی با لبه ی زیگزاگ در نانوترانزیستورهای اثر میدانی مبتی بر نانونوارهای سیلیسنی بهره برد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امید سلطانی
دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران، کدپستی ۸۷۳۱۷۵۳۱۵۳
روح اله فرقدان
دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران، کدپستی ۸۷۳۱۷۵۳۱۵۳