رفتار لایه های نقص نانوئی در بلورهای فوتونی

دراین مقاله اثر لایه نقص در بلور فوتونی یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته شده است نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیده دراین لایه جزئی متمرکز بوده است دراین کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک گزارش شده است.

کلیدواژه ها:

مدنقص ، ماتریس انتقال ، مواد راستگرد ، مواد چپگرد