بررسی اثر چرخش اسپین بر ترابرد الکتریکی الکترون ها از فیلمهای نازک نیم رسانای مغناطیسی

دراین پژوهش تلاش شده است تا در ساختاری متشکل از فلز معمولی / نیم رسانای مغناطیسی / سد عایق/ نیم رسانای مغناطیسی / فلز معمولی NM/FMS/I/FMS/NM) با استفاده از مدل الکترون ازاد و ماتریس انتقال بدو ن اعمال ولتاژ وابستگی تابع مقاومت مغناطیسی تونل زنی TMR به ضخامت لایه میانی عایق زاویه نسبی مغناطش دولایه مغناطیسی و همچنین وابستگی تابع احتمال تونل زنی T به انرژی الکترونهای فرودی، بصورت تئوری مطالعه شود. تابع مقاومت مغناطیسی تونل زنی نسبت به ضخامت لایه میانی عایق رفتار افزایشی نشان میدهد. همچنین این تابع نسبت به زاویه نسبی مغناطش دولایه مغناطیسی، رفتاری نوسانی نشان میدهد که به ازای ضخامتهای مختلف لایه ها مقدار بیشینه تابع تغییر می کند سپس با بررسی تابع Ln(T نسبت به انرژی الکترونهای فرودی به این نتیجه رسیدیم که با ورود الکترونها با اسپین بالا یا پایین این الکترون ها در طی مسیر احتمالا دچار چرخش شده و اکثریت آنها با جهتی خاص خارج می شوند پس اثر فیلتر اسپینی در این منحنی قابل مشاهده است.