طراحی و شبیه سازی سیستم حافظه غیرفرار براساس ممریستور

ممریستور یک قطعه دو پایانه ای در ابعاد نانو می باشد که به صورت یک حافظه مقاومتی غیرفرار رفتار می کند این عنصر می تواند تاز مانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوت به آن اعمال نشود اطلاعات را تا چند سال حفظ نماید دراین تحقیق یک ساختار حافظه کراس بار 4×4 که سلولهای ان تنها شامل یک ممریستور می باشند طراحی شده است کلیه شبیه سازی ها با نرم افزار Hspice صورت گرفته اند دنباله 1010 در ستون اول ارایه نوشته و سپس خوانده شده است یکی از مشکلات ساختارهای کراس بار وجود جریانهای پارازیتی می باشد. دراین تحقیق جهت در نظر گرفتن بدترین شرایط هنگام نوشتن و خواندن در ارایه سایر سلولهای انتخاب نشده در وضعیت روشن مقاومت کم قرار داده شده اند زیرا در این حالت جریانهای پارازیتی بیشتر می شوند سیستم حافظه طوری پیاده سازی شده است که این جریانها به حداقل برسند. هنگام خواندن دنبال 1010 با موفقیت در خروجی به دست آمده است.