ارتعاشات و پایداری خمش - پیچش نانو نوار کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی با استفاده از تئوری ارینگن

در این مقاله، ارتعاشات و پایداری خمش - پیچش نانو نوایی کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی مورد بررسی قرار گرفته است. معادلات حاکم بر حرکت نانو نوار کربنی حامل جریان، بر مبنای مدل تیر اویلر-برنولی غیرموضعی و براساس تئوری ارینگن است. توزیع نیروی جانبی حاصل از تداخل میدان مغناطیسی عرضی و جریان الکتریکی با استفاده از قانون نیروی لورنتس به دست آمده است. برای حل معادلات همگیر حاکم بر خمش - پیچش، از روش گالرکین استفاده شده مثل نیروی لورنتس جانبی و اثر مقیاس کوچک و روی فرکانس های خمش - پیچش و مرز ناپایداری آن مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

نیروی لورنتس جانبی ، مودهای خمشی و پیچشی ، نانو نوار کربنی ، تئوری ارینگن ، میدان مغناطیسی